坐下之后，金玉月先从公文包中拿出了两份协议递给韩鹏，一份是商业保密协议，一份是专利代理协议。
韩鹏大致浏览了一遍，是两份制式协议，已经盖好专利律师事务所的印章。
在和金玉月商定单个专利的代理费用之后，韩鹏和金玉月分别在两份协议上签了字。
由于申请专利，需要提供灵纹身份芯片编号。金玉月在看到灵纹身份芯片编号之后，惊讶的说：“杜先生，您竟然才十三周岁吗？真是一点都看不出来呀。幸好申请专利不管成年与否，否则您就要等到明年呢。”
“我确实还不到十四周岁。”金玉月在得到韩鹏的确认之后，明显的松了一口气。
“您确定要在半导体领域申请专利吗，这个领域的专业知识要求还是很高的。呃，我不是质疑您的能力，但是您最多应该刚从初等学府毕业吧。”金玉月又开始担心韩鹏是否具有相关技术背景。
“您要承认，这个世界是存在天才的。
金玉月拿出一张绘制有流程图的纸张，向韩鹏介绍了获得专利的过程：首先向联邦专利局提交专利申请，然后审查员会对专利申请的新颖性、创造性等问题进行审查，审查通过之后，就可以取得专利权，专利权的保护期限是三十年。
这大致与地球的专利制度类似，所以韩鹏理解起来没什么困难。接着，韩鹏大致向金玉月讲解了想要申请专利的技术，并提出了自己设想的保护策略。
在前世，贝尔实验室的施敏博士和江大原共同发明了浮栅场效应晶体管，浮栅场效应晶体管是闪存最基本的单元。
但是，经过韩鹏的多方查证，目前这个世界还没有发明浮栅场效应晶体管。
浮栅场效应晶体管的结构与普通场效应晶体管有很大区别。它有两个栅极，一个是选择栅，和普通栅极一样；另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连，这个栅极称为浮栅。
通常情况下，浮栅不带电荷，晶体管处于关断状态，其漏极电平为高，表示数据一。
当选择栅被施加较高的电压后，源极接地，漏极浮空，然后会产生大量高能电子，部分电子会通过隧穿氧化层，穿越二氧化硅的包围，到达浮栅。
当选择栅电压移除之后，由于浮栅没有放电回路，所以电子会留在浮栅；且漏极电平为低，即数据零被写入。
浮栅上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅上，所以信息能够长期保存。通常来说，这个时间可达十年。
韩鹏计划首先就浮栅场效应晶体管的结构申请一个专利。
“杜先生，您提出的场效应晶体管结构确实非常新颖。当然，这不是说专利法意义上的新颖性。”
“为了保险起见，我建议您可以就这个场效应晶体管结构的制作方法，也申请一个专利。”
“因为场效应晶体管结构的改进，必然会导致制造方法产生变化，比如增加了形成浮栅结构的步骤。所以其制造方法也是很有可能被授予专利权的。”
“根据专利法第十一条规定，使用其专利方法直接获得的产品，也是被保护的。这样就得到了第一重保险。”
“另外，建议您把场效应晶体管结构做一些简单微调，就结构和制造方法多申请几套专利，这样后续在专利授权和无效阶段，都会更加稳妥。这样就得到了第二重保险。”金玉月尽职的提出了自己的专业意见。
韩鹏觉得很有道理，也提出了受启发得出的新想法：
“那这样的话，我申请一个存在错误步骤的制作方法专利，而且为这个专利申请提前公开，为其他专利申请延迟公开。”
“竞争对手就会误以为我申请的专利是个废专利，起不到保护作用。但竞争对手可能想不到，我其实也申请了正确的专利。”
“如果竞争对手模仿制造的话，就掉进了大坑里。哈哈，我可真是个小天才。”
金玉月稍微思考了一下，补充道：
“您这样做，坑人的意图太明显了。其实您不用故意写错误步骤，只要写一个可以有也可以没有的步骤就行。”